NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

產(chǎn)品型號：NPE-4000（A）
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-04-28
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產(chǎn)品詳情

PECVD沉積技術(shù)

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：