等離子體增強(qiáng)MOCVD也就是大名鼎鼎的MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積),針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有加熱的氣體管路、5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、PC全自動(dòng)控制、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無(wú)油真空泵(5x10-7Torr極限真空)，*的安全互鎖。
等離子體增強(qiáng)MOCVD技術(shù)特點(diǎn)：
臺(tái)式系統(tǒng)
5個(gè)帶獨(dú)立冷卻槽的起泡器
加熱的氣體管路
950°C樣品臺(tái)，2"晶圓片
3個(gè)氣體環(huán)
RF等離子源，帶淋浴頭氣體分布
工藝完成后N2自動(dòng)沖洗
極限真空5x10-7Torr
250l/s的渦輪分子泵串接無(wú)油干泵
通過(guò)LabView軟件實(shí)現(xiàn)PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問(wèn)控制
完整的安全聯(lián)鎖
等離子體增強(qiáng)MOCVD配置：
獨(dú)立系統(tǒng)
14"不銹鋼立方體腔體
1次在8"樣品臺(tái)上處理1個(gè)6"晶圓片或在12"樣品臺(tái)上處理5片4"片子
加熱的氣體管路
RF等離子源，自動(dòng)調(diào)諧
淋浴頭氣體分布
1100°C的旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)
產(chǎn)品分類(lèi)
更新時(shí)間：2021-05-14 
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