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淋浴頭氣流的平面ICP離子源應(yīng)用于ALD系統(tǒng)

更新時間:2017-09-14      瀏覽次數(shù):3979

繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng),ICPECVD沉積系統(tǒng),PA-MOCVD生長系統(tǒng)之后,該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。

由于該型技術(shù)設(shè)計的ICP源為平面設(shè)計的遠(yuǎn)程等離子源,可以在更低電源下達(dá)到更高的離子密度,具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優(yōu)勢,確保了該ALD系統(tǒng)具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短(沉積效率可以達(dá)到兩倍以上)的先進(jìn)性能。此外,可以實(shí)現(xiàn)低溫(100度以內(nèi))的薄膜生長。

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